top of page
FORCLEAN

ИПМаш РАН научился изготавливать пластины из SiC

Об освоении технологии производства пластин из карбида кремния для полупроводникового производства сообщили специалисты Института проблем машиноведения (ИПМаш) РАН.


За рубежом SiC-пластины массово выпускают уже сравнительно давно, но, как утверждают специалисты ИПМаш, основной способ - выращивание пленки карбида кремния на кремниевых пластинах. Проблема этого метода - несовпадение кристаллических структур пленки и пластины, что зачастую ведет к растрескиванию структуры.

Российские ученые придумали способ, позволяющий избежать проблемы растрескивания, они последовательно заменяют ряд атомов кремния атомами углерода внутри исходного кристалла, не разрушая кристаллическую структуру, используя для этого угарный газ. В итоге стоимость получения пластин SiC почти в 10 раз меньше, чем у зарубежных (в условиях лабораторного производства).

Связаться с нами можно: -по телефонам: +7 (831) 262-19-71 (доб.200), +7 (495) 120-57-63 -по почте: info@forcleanrussia.ru -на сайте: forclean.tech #forclean #форклин #ооофорклин #чистыепомещения #производствочистыхпомещений #производствоконструкцийчистыхпомещений

Comentarios


bottom of page