Об освоении технологии производства пластин из карбида кремния для полупроводникового производства сообщили специалисты Института проблем машиноведения (ИПМаш) РАН.
За рубежом SiC-пластины массово выпускают уже сравнительно давно, но, как утверждают специалисты ИПМаш, основной способ - выращивание пленки карбида кремния на кремниевых пластинах. Проблема этого метода - несовпадение кристаллических структур пленки и пластины, что зачастую ведет к растрескиванию структуры.
Российские ученые придумали способ, позволяющий избежать проблемы растрескивания, они последовательно заменяют ряд атомов кремния атомами углерода внутри исходного кристалла, не разрушая кристаллическую структуру, используя для этого угарный газ. В итоге стоимость получения пластин SiC почти в 10 раз меньше, чем у зарубежных (в условиях лабораторного производства).
Связаться с нами можно: -по телефонам: +7 (831) 262-19-71 (доб.200), +7 (495) 120-57-63 -по почте: info@forcleanrussia.ru -на сайте: forclean.tech #forclean #форклин #ооофорклин #чистыепомещения #производствочистыхпомещений #производствоконструкцийчистыхпомещений
Comentarios